硅导电，硅的电导率与其温度有很大关系，随着温度升高，电导率增大，在1480℃左右抵达较大，而温度凌驾1600℃后又随温度的升高而减小。

      首先我们要相识一下硅的化学性子加热下能同单质的卤素、氮、碳等非金属作用，也能同某些金属如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。天生硅化物。不溶于一样平常无机酸中，可溶于碱溶液中，并有氢气放出，形成响应的碱金属硅酸盐溶液，于赤热温度下，与水蒸气能爆发作用。

非平衡载流子寿命光照或电注入爆发的附加电子和空穴瞬即复合而消逝，它们平均保存的时间称为非平衡载流子的寿命。非平衡载流子寿命同器件放大倍数、反向电流和开关特征等均有关系。寿命值又间接地反应硅单晶的纯度，保存重金属杂质会使寿命值大的降低。

硅的化学性子硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在及格半导体和多晶硅中应划分低于0.4ppb和0.1ppb。拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质，它们的保存会使PN结性能变坏。硅中碳含量较高，低于1ppm者可以为是低碳单晶。碳含量凌驾3ppm时其有害作用已较清晰。硅中氧含量甚高。氧的保存有益也有害。直拉硅单晶氧含量在5～40ppm规模内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm。